N(V)TJD4001N دیتاشیت

N(V)TJD4001N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت N(V)TJD4001N
حجم فایل 123.258 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت N(V)TJD4001N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NVTJD4001NT1G 7 pages

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 2 N-Channel
  • Package: SOT-363
  • RDS(on): 2.5Ω@2.5V
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Manufacturer: onsemi
  • Gate Charge(Qg): 1.3nC@5V
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Pd - Power Dissipation: 272mW
  • Drain to Source Voltage: 30V
  • Input Capacitance(Ciss): 88pF
  • Output Capacitance(Coss): 32pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 250mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.5V@100uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 12pF

محصولات مشابه